安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
| NTMFD1D4N02P1E的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTMFD1D4N02P1E的图片

NTMFD1D4N02P1E

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
原厂封装：封装:8-PQFN（5x6）
优势价格，NTMFD1D4N02P1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFD1D4N02P1E的技术资料下载
电话询问价格
NTMFD1D4N02P1E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NTMFD1D4N02P1E
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-PQFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:最后售卖
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A，2V @ 800A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:960mW（Ta），1W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
  • 想获取NTMFD1D4N02P1E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
ONSEMI安森美中国代理商