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NTMD6601NR2G的图片

NTMD6601NR2G

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
原厂封装：封装:8-SOIC
优势价格，NTMD6601NR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTMD6601NR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NTMD6601NR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 2.2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:600mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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