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NTLJD3182FZTBG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
原厂封装：器件封装：6-WDFN（2x2）
优势价格，NTLJD3182FZTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTLJD3182FZTBG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NTLJD3182FZTBG
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.8nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：450pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）：710mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-WDFN（2x2）
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