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NTBL032N065M3S
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTBL032N065M3S
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
原厂封装:
封装:8-HPSOF
优势价格,NTBL032N065M3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTBL032N065M3S的技术资料下载
NTBL032N065M3S的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NTBL032N065M3S
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-HPSOF
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):44 毫欧 @ 15A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):55 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1396 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):227W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-HPSOF
封装/外壳:8-PowerSFN
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