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NSVMMUN2130LT1G

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
原厂封装：封装:SOT-23-3（TO-236）
优势价格，NSVMMUN2130LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NSVMMUN2130LT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NSVMMUN2130LT1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SOT-23-3（TO-236）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):1 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:3 @ 5mA，10V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 5mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:246 mW
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
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