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NSVB124XPDXV6T1G的图片

NSVB124XPDXV6T1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
原厂封装：封装：SOT-563，SOT-666
优势价格，NSVB124XPDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NSVB124XPDXV6T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NSVB124XPDXV6T1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：22 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：47 千欧
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-563，SOT-666
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