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NSB13211DW6T1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NSB13211DW6T1G
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
原厂封装:
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
优势价格,NSB13211DW6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSB13211DW6T1G的技术资料下载
NSB13211DW6T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NSB13211DW6T1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧,10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):4.7 千欧,10 千欧
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V / 15 @ 5mA,10V
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300A,10mA / 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:230mW
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
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