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NGTD20T120F2WP

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
原厂封装：封装:模具
优势价格，NGTD20T120F2WP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NGTD20T120F2WP的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NGTD20T120F2WP
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:模具
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值:-
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • 想获取NGTD20T120F2WP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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