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NDS8858H
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NDS8858H
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
原厂封装:
封装:8-SOIC
优势价格,NDS8858H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDS8858H的技术资料下载
NDS8858H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NDS8858H
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.3A,4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):720pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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