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NDH8521C

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 3.8A SUPERSOT
原厂封装：封装:SuperSOT-8
优势价格，NDH8521C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NDH8521C的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NDH8521C
  • 品牌:Fairchild Semiconductor (Fairchild,仙童或飞兆半导体,已被ONSEMI安森美收购)
  • 封装:SuperSOT-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.8A SUPERSOT
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），2.7A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 3.8A，10V，70 毫欧 @ 2.7A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25nC @ 10V，27nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V，560pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:800mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSOP（0.130，3.30mm 宽）
  • 供应商器件封装:SuperSOT-8
  • 想获取NDH8521C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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