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NDDL01N60Z-1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NDDL01N60Z-1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
原厂封装:
封装:IPAK
优势价格,NDDL01N60Z-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDDL01N60Z-1G的技术资料下载
NDDL01N60Z-1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NDDL01N60Z-1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:IPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):92 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):26W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
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