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NCP5111DR2G的图片

NCP5111DR2G

安森美(ONSEMI)图标
集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
原厂封装：封装:8-SOIC
优势价格，NCP5111DR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NCP5111DR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NCP5111DR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.3V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA，500mA
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
  • 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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