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MVDF1N05ER2G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
MVDF1N05ER2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
原厂封装:
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,MVDF1N05ER2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MVDF1N05ER2G的技术资料下载
MVDF1N05ER2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MVDF1N05ER2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):50V
25°C时电流-连续漏极(Id):2A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):300 毫欧 @ 1.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):330pF @ 25V
功率-最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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