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MUN5211DW1T1
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
MUN5211DW1T1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
原厂封装:
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
优势价格,MUN5211DW1T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MUN5211DW1T1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MUN5211DW1T1
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
零件状态:停产
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
电压-集射极击穿(最大值):50V
电阻器-基极(R1):10 千欧
电阻器-发射极(R2):10 千欧
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300A,10mA
电流-集电极截止(最大值):500nA
频率-跃迁:-
功率-最大值:250mW
安装类型:表面贴装型
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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