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IRFW630BTM_FP001

安森美(ONSEMI)图标
单端场效应管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
原厂封装：DPAK
优势价格，IRFW630BTM_FP001的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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电话询问价格
IRFW630BTM_FP001的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：IRFW630BTM_FP001
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.13W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：DPAK
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