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HUFA76413DK8T_F085

安森美(ONSEMI)图标
场效应管阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A SO-8
原厂封装：8-SOIC
优势价格，HUFA76413DK8T_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HUFA76413DK8T_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：HUFA76413DK8T_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A SO-8
  • 系列：UltraFET
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：49 毫欧 @ 5.1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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