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HGTG10N120BND
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
HGTG10N120BND
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
原厂封装:
封装:TO-247-3
优势价格,HGTG10N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTG10N120BND的技术资料下载
HGTG10N120BND的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:HGTG10N120BND
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-247-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值:298 W
开关能量:850J(导通),800J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:100 nC
25°C 时 Td(开/关)值:23ns/165ns
测试条件:960V,10A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):70 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247-3
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