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HGTD7N60C3S9A
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
HGTD7N60C3S9A
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 14A TO-252AA
原厂封装:
封装:TO-252AA
优势价格,HGTD7N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTD7N60C3S9A的技术资料下载
HGTD7N60C3S9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:HGTD7N60C3S9A
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-252AA
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 600V 14A TO-252AA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):56 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A
功率 - 最大值:60 W
开关能量:165J(导通),600J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:23 nC
25°C 时 Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
供应商器件封装:TO-252AA
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