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HGT1S3N60A4DS9A
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
HGT1S3N60A4DS9A
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 17A TO-263
原厂封装:
封装:TO-263(D2PAK)
优势价格,HGT1S3N60A4DS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGT1S3N60A4DS9A的技术资料下载
HGT1S3N60A4DS9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:HGT1S3N60A4DS9A
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-263(D2PAK)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 600V 17A TO-263
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):17 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,3A
功率 - 最大值:70 W
开关能量:37J(导通),25J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:21 nC
25°C 时 Td(开/关)值:6ns/73ns
测试条件:390V,3A,50 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):29 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
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