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HGT1S2N120CN

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT NPT 1200V 13A TO-262
原厂封装：封装:TO-262
优势价格，HGT1S2N120CN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HGT1S2N120CN的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:HGT1S2N120CN
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT NPT 1200V 13A TO-262
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:13 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，2.6A
  • 功率 - 最大值:104 W
  • 开关能量:96J（导通），355J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:30 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/205ns
  • 测试条件:960V，2.6A，51 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • 供应商器件封装:TO-262
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