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| HGT1S14N36G3VLT的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
HGT1S14N36G3VLT的图片

HGT1S14N36G3VLT

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT 390V 18A 100W TO262AA
原厂封装：封装：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA
优势价格，HGT1S14N36G3VLT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HGT1S14N36G3VLT的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：HGT1S14N36G3VLT
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 390V 18A 100W TO262AA
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：390V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.2V @ 5V，14A
  • 功率-最大值：100W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：逻辑
  • 栅极电荷：24nC
  • 25°C时Td（开/关）值：-/7s
  • 测试条件：300V，7A，25欧姆，5V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-262-3，长引线，IPak，TO-262AA
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