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FQPF19N10
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FQPF19N10
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
原厂封装:
封装:TO-220F-3
优势价格,FQPF19N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQPF19N10的技术资料下载
FQPF19N10的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FQPF19N10
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-220F-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 6.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):780 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):38W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220F-3
封装/外壳:TO-220-3 整包
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