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FQD2N60CTM_WS的图片

FQD2N60CTM_WS

安森美(ONSEMI)图标
单端场效应管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.9A
原厂封装：D2PAK
优势价格，FQD2N60CTM_WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQD2N60CTM_WS的技术资料下载
电话询问价格
FQD2N60CTM_WS的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FQD2N60CTM_WS
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A
  • 系列：QFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 欧姆 @ 950mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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