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FQB27N25TM_F085

安森美(ONSEMI)图标
FET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
原厂封装：TO-263-3，DPak
优势价格，FQB27N25TM_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FQB27N25TM_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号: FQB27N25TM_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 250V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 25.5A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 131 毫欧 @ 25.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 49nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 3.3W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
  • 想获取FQB27N25TM_F085的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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