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FPF2C110BI07AS2
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FPF2C110BI07AS2
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
原厂封装:
封装:30-DIP 模块
优势价格,FPF2C110BI07AS2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FPF2C110BI07AS2的技术资料下载
FPF2C110BI07AS2的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FPF2C110BI07AS2
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:-
配置:半桥
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):40A
功率-最大值:300W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
电流-集电极截止(最大值):250A
不同Vce时输入电容(Cies):-
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C
安装类型:通孔
封装:30-DIP 模块
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