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FGA70N30TDTU
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FGA70N30TDTU
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 300V 201W TO3P
原厂封装:
封装:TO-3P-3,SC-65-3
优势价格,FGA70N30TDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGA70N30TDTU的技术资料下载
FGA70N30TDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGA70N30TDTU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 300V 201W TO3P
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:沟道
电压-集射极击穿(最大值):300V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):160A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,20A
功率-最大值:201W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:125nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):21ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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