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FGA30T65SHD的图片

FGA30T65SHD

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
原厂封装：封装:TO-3PN
优势价格，FGA30T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FGA30T65SHD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FGA30T65SHD
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-3PN
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PN
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值:238 W
  • 开关能量:598J（导通），167J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:54.7 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:14.4ns/52.8ns
  • 测试条件:400V，30A，6 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):31.8 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3PN
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