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FFSM0865B

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
原厂封装：封装:4-PQFN（8x8）
优势价格，FFSM0865B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FFSM0865B的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FFSM0865B
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:4-PQFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):11.6A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:336pF @ 1V，100kHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-PowerTSFN
  • 供应商器件封装:4-PQFN（8x8）
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
  • 想获取FFSM0865B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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