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FDY1002PZ-G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDY1002PZ-G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563
原厂封装:
封装:SOT-563
优势价格,FDY1002PZ-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDY1002PZ-G的技术资料下载
FDY1002PZ-G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDY1002PZ-G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SOT-563
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563
包装:散装
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):830mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):500 毫欧 @ 830mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):135pF @ 10V
功率 - 最大值:446mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
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