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FDV303N-F169
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDV303N-F169
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
原厂封装:
封装:SOT-23-3
优势价格,FDV303N-F169的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDV303N-F169的技术资料下载
FDV303N-F169的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDV303N-F169
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SOT-23-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):350mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
想获取FDV303N-F169的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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