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FDS9958_F085
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDS9958_F085
场效应管阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
原厂封装:
8-SOIC
优势价格,FDS9958_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS9958_F085的技术资料下载
FDS9958_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDS9958_F085
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):105毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1020pF @ 30V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装
产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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