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FDS6688AS
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDS6688AS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
原厂封装:
器件封装:8-SOIC
优势价格,FDS6688AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDS6688AS的技术资料下载
FDS6688AS的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDS6688AS
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PowerTrench
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):14.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 14.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):63nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2510pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-SOIC
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