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FDS5690_NBBM009A的图片

FDS5690_NBBM009A

安森美(ONSEMI)图标
单端场效应管
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
原厂封装：8-SO
优势价格，FDS5690_NBBM009A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDS5690_NBBM009A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDS5690_NBBM009A
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 7A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1107pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SO
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