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FDR8702H的图片

FDR8702H

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
原厂封装：封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
优势价格，FDR8702H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8702H的技术资料下载
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FDR8702H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDR8702H
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：PowerTrench
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A，2.6A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 10V
  • 功率-最大值：800mW
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
  • 想获取FDR8702H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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