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FDR8308P

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
原厂封装：封装:SuperSOT-8
优势价格，FDR8308P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8308P的技术资料下载
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FDR8308P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FDR8308P
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:SuperSOT-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:800mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
  • 供应商器件封装:SuperSOT-8
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