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FDR8305N
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDR8305N
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
原厂封装:
封装:SuperSOT-8
优势价格,FDR8305N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8305N的技术资料下载
FDR8305N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDR8305N
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SuperSOT-8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)
供应商器件封装:SuperSOT-8
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