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FDP030N06B_F102
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDP030N06B_F102
单端场效应管
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
原厂封装:
TO-220
优势价格,FDP030N06B_F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDP030N06B_F102的技术资料下载
FDP030N06B_F102的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDP030N06B_F102
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):99nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8030pF @ 30V
功率 - 最大值:205W
安装类型:通孔
产品封装:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220
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