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FDMS3660S_F121
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDMS3660S_F121
场效应管阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
原厂封装:
Power56
优势价格,FDMS3660S_F121的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMS3660S_F121的技术资料下载
FDMS3660S_F121的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDMS3660S_F121
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
系列:PowerTrench
FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A,30A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1765pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安装类型:表面贴装
产品封装:8-PowerTDFN
供应商器件封装:Power56
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