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FDMS1D4N03S

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
原厂封装：封装:8-PQFN（5x6）
优势价格，FDMS1D4N03S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMS1D4N03S的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FDMS1D4N03S
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-PQFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):211A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.09 毫欧 @ 38A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10250 pF @ 15 V
  • FET 功能:肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
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