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FDMS1D2N03DSD

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN
原厂封装：封装:8-PQFN（5x6）
优势价格，FDMS1D2N03DSD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMS1D2N03DSD的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FDMS1D2N03DSD
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-PQFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A 8PQFN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，0.97 毫欧 @ 37A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 320A，3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V，117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1410pF @ 15V，4860pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-PQFN（5x6）
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