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FDMC86116LZ
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDMC86116LZ
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
原厂封装:
封装:8-MLP(3.3x3.3)
优势价格,FDMC86116LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMC86116LZ的技术资料下载
FDMC86116LZ的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDMC86116LZ
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-MLP(3.3x3.3)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta),7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):103 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):310 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.3W(Ta),19W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerWDFN
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