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FDMC8200S_F106

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
原厂封装：封装：8-PowerWDFN
优势价格，FDMC8200S_F106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDMC8200S_F106的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDMC8200S_F106
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A，8.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
  • 功率-最大值：700mW，1W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerWDFN
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