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FDMC4435BZ_F126
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDMC4435BZ_F126
单端场效应管
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 30V 8.5A
原厂封装:
8-MLP
优势价格,FDMC4435BZ_F126的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMC4435BZ_F126的技术资料下载
FDMC4435BZ_F126的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDMC4435BZ_F126
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET P-CH 30V 8.5A
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.5A(Ta),18A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2045pF @ 15V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
产品封装:8-WDFN
供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)
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