安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
| FDMC4435BZ-F127的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDMC4435BZ-F127的图片

FDMC4435BZ-F127

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
原厂封装：封装:8-WDFN（3.2x3.2）
优势价格，FDMC4435BZ-F127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMC4435BZ-F127的技术资料下载
电话询问价格
FDMC4435BZ-F127的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FDMC4435BZ-F127
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-WDFN（3.2x3.2）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
  • 包装:散装
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta），18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2045 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），31W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-WDFN（3.2x3.2）
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 想获取FDMC4435BZ-F127的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
ONSEMI安森美中国代理商