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FDMA1028NZ_F021
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDMA1028NZ_F021
场效应管阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
原厂封装:
MicroFET
优势价格,FDMA1028NZ_F021的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMA1028NZ_F021的技术资料下载
FDMA1028NZ_F021的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDMA1028NZ_F021
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
系列:PowerTrench
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.7A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):340pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
产品封装:6-WDFN
供应商器件封装:MicroFET 2x2
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