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FDG6332C_F085

安森美(ONSEMI)图标
场效应管阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
原厂封装：SC-70-6
优势价格，FDG6332C_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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电话询问价格
FDG6332C_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FDG6332C_F085
  • 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
  • 系列：PowerTrench
  • FET 类型：N 和 P 沟道
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：700mA，600mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：113pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：SC-70-6
  • 想获取FDG6332C_F085的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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