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FDD6696
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDD6696
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
原厂封装:
封装:TO-252AA
优势价格,FDD6696的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD6696的技术资料下载
FDD6696的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDD6696
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-252AA
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1715 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),52W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252AA
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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