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FDD3510H

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
原厂封装：封装:TO-252（DPAK）
优势价格，FDD3510H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FDD3510H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:FDD3510H
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-252（DPAK）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道，共漏
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A，2.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:1.3W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
  • 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
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