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FDD14AN06LA0_F085
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDD14AN06LA0_F085
单端场效应管
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
原厂封装:
TO-252
优势价格,FDD14AN06LA0_F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDD14AN06LA0_F085的技术资料下载
FDD14AN06LA0_F085的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDD14AN06LA0_F085
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
描述:MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.5A(Ta),50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2810pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252
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