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FDC636P
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
FDC636P
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
原厂封装:
封装:SuperSOT-6
优势价格,FDC636P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDC636P的技术资料下载
FDC636P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:FDC636P
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SuperSOT-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):390 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SuperSOT-6
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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